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能耗,也提升了数据存储的可靠性。同时,其读写操作能耗极低,数据保持阶段更是实现零功耗,读写能耗可达到飞焦级,远低于SRAM、Flash等传统存储器件,极大地契合了当下电子设备低功耗、长续航的发展需求。 在响应速度与集成度方面,忆阻器同样表现优异。其阻变速度可达纳秒级,接近SRAM的响应速度,远超Fla
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发布时间:11:40:02